Gallium, indium a thallium se vyskytují rozptýleně a poměrně vzácně , všechny tři kovy mají po dvou izotopech. Gallium je častou součástí hliníkových a zinkových rud (bauxit, sfalerit), indium a thallium se vyskytují jako příměsi v sulfidických rudách (indium doprovází zinek a gallium ve sfaleritu, thallium olovo v galenitu a vzhledem k podobné mu poloměru s kationtem rubidným se s ním vyskytuje ve vyvřelinách jako jsou živce a slídy). Indium je slabě radioaktivní (115In, τ1/2 = 6.1014 let).
Všechny tři prvky jsou stříbrobílé měkké kovy s velmi nízkými body tání (gallium je kapalné v rozmezí 2200 °C), nízké body tání mají i některé jejich slitiny (eutektikum Ga/In/Sn/Zn má bod tání 3 °C, Ga /In/Sn 10,8 °C). Jsou ušlechtilejšími kovy než hliník, kontinuální pokles elektronegativity s růstem atomového čísla prvku pozorovaný v obou skupinách s-bloku nemá v první skupině p-bloku analogii (Paulingovy elektronegativity bor 2,0; hliník 1,5; gallium 1,6; indium 1,7; thallium 1,8).
Konfigurace elektronové valenční sféry gallia, india a thallia je analogická jako u boru a hliníku (ns2 np1), následuje však po zaplněných (n-1)d-orbitalech a u thallia navíc i po obsazení orbitalu 4f. Tyto rozdíly mají významný vliv na chemické chování a odrážejí se i v ionizačních potenciálech těchto prvků (pokles pozorovaný při přechodu od boru k hliníku dále nepokračuje, příčinou je neúplné odstínění zvyšujícího se náboje jádra d- resp f-elektrony). Vzhledem k malým hodnotám prvních ionizačních energií je častý oxidační stupeň +I, v němž prvkům zůstává elektronový pár v ns-orbitalu (inertní pár). Tendence k uchování inertního elektronového páru vzrůstá od gallia k thalliu jako výsledek vlivu řady obtížně kvantifikovatelných faktorů.
Pro gallium jsou typické sloučeniny gallité podobající se sloučeninám hlinitým. Sloučeniny gallné i indné jsou nestálé a neschopné existence ve vodných roztocích. Naproti tomu sloučeniny thallné jsou stabilní, kdežto thallité mají oxidační vlastnosti. Kation thallný Tl+ má podobné rozměry jako K+ a Rb+ a analogickou elektronovou strukturu jako kation olovnatý. Odpovídající si soli mají proto podobné vlastnosti (příbuznost existuje i se sloučeninami stříbrnými). Těkavé sloučeniny všech tří prvků barví charakteristicky plamen, podobně jako sloučeniny alkalických kovů a kovů alkalických zemin.
Gallium, indium a thallium jsou typickým příkladem obecně platného pravidla, že prvek je elektropozitivnější v nižším oxidačním stavu, než ve stavu vyšším (v nižším oxidačním stavu jsou oxidy a hydroxidy zásaditější než ve vyšším). Kovalentní sloučeniny v oxidačním stupni +III mají převážně tetraedrickou koordinaci, možná je i oktaedrická. Podobně jako u boru a hliníku existují i u gallia, india a thallia sloučeniny s elektronově deficitními polycenterními vazbami. Halogenidy MX3 jsou schopny vytvářet komplexní anionty MX4− a MX63−.
Gallium je za laboratorní teploty na vzduchu stálé, thallium se už na vlhkém vzduchu oxiduje na hydroxid thallný. Všechny tři kovy se rozpouštějí ve zředěných silných kyselinách, pouze amfoterní gallium i v alkalických hydroxidech na gallitany. Hydroxidy jsou méně zásadité než u prvků podskupiny skandia, nejsilnější z nich je dobře rozpustný hydroxid thallný. Thallium (v periodickém systému se nachází mezi dvěma dalšími jedovatými těžkými kovy olovem a rtutí) i jeho sloučeniny jsou velmi nebezpečné jedy (při požití, vdechnutí i styku s pokožkou).
Gallium se získává jako vedlejší produkt při výrobě hliníku (využívá se jen 1 % potenciálně dostupného množství, cena kovu je na úrovni zlata). Od hliníku se odděluje rozpuštěním bauxitu v roztoku uhličitanu sodného
Ga2O3 + Na2CO3 + 8 H2 O → 2 Na[Ga(OH)4(H2O)2] + CO2
Al2O3 + Na2CO3 + 8 H2 O → 2 Na[Al(OH)4(H2O)2] + CO2
Zaváděním oxidu uhličitého do získaného roztoku se vyloučí hydroxid hlinitý a rozpuštěn zůstane gallitan sodný. Z roztoku lze gallium vyloučit elektrolýzou nebo redukcí zinkem, použitelná je i redukce oxidu gallitého vodíkem při 900 °C. Indium a thallium se průmyslově vyrábějí z popílku emitovaného při pražení sulfidických rud zinku a olova (india se vyrobí 80 tun za rok, v roce 1925 byl celosvětově k dispozici pouze 1 g prvku; produkce thallia kolísá v rozmezí 5 až 15 tun za rok).
Gallium se používá jako náplň do křemenných teploměrů s rozsahem do 1200 °C, jako vysokoteplotní kapalinový uzávěr a vysoce čisté v polovodičových technologiích (v laserových diodách se využívá arsenid gallia GaAs k převodu elektřiny na koherentní světlo). Indium dříve sloužilo na ochranu ložisek proti opotřebení a korozi, nyní se používá pro výrobu nízkotajících slitin (tavné pojistky, pájky pro spojení kovů s nekovy ve vakuových aparaturách) a v některých typech jaderných reaktorů je složkou moderátorových tyčí. Arsenid InAs a antimonid india InSb se užívají v nízkoteplotních tranzistorech, termistorech a odporových fotonkách. Sloučeniny thallia mají použití v infračervených technologiích (fotocitlivé diody, infračervené detektory, okénka kyvet pro měření infračervených spekter ze směsných monokrystalů bromidu a jodidu thallného). Nasycený roztok malonanu thallného (Clericiho roztok, ρ = 4,324 g.cm-3 při 20 °C) má význam při stanovování hustoty minerálů.