Zenerova dioda

   Říká se jí také stabilizační dioda.   Schematická značka:

   Zenerův jev:

   Má-li dioda velmi tenký přechod PN,vzniká při působení napětí ve zpětném směru v její tenké
   vyprázdněné oblasti tak velká intenzita elektrostatického pole,že dochází k vytrhávání
   elektronů z vazeb krystalové mřížky.Počet minoritních nosičů náboje velmi vzroste,což se
   projeví růstem zpětného proudu diody téměř při stálém napětí.Přitom se odpor diody zmenší
   z několika set megaohmů na několik desítek až jednotek ohmů. 

   Lavinová ionizace:

   Při zvětšování tloušťky přechodu zenerovo napětí postupně stoupá .Zároveň se však objevuje
   další jev zvětšující proud ve zpětném směru .Elektrony získávají při průchodu přechodem
   značnou energii.

   Je-li přechod široký,je velká pravděpodobnost,že letící elektron narazí ve vyprázdněné oblasti
   na jiný elektron a uvolní ho z vazby. Oba elektrony jsou nadále urychlovány a během své cesty
   uvolní nárazem další elektrony,ty podobným způsobem opět další.Nastane lavinová ionizace
   v oblasti přechodu ,projevující se podobnými vlastnostmi jako Zenerův jev.

   

   

   

   

   

   

   

   

   Zenerův jev se uplatňuje v tenkých přechodech.Začíná působit při napětí asi 3V a v důsledku
   zvětšování šířky přechodu při napětí asi 6V postupně mizí a je plynule vystřídán jevem
   lavinovým.

   Oba jevy se z hlediska stabilizace napětí projevují stejným způsobem.

   Stabilizační dioda má v přímém směru stejný průběh charakteristiky jako běžná usměrňující
   dioda. Zenerův průraz i lavinový průraz je nedestruktivní, ale kdyby proud procházející diodou
   překročil určitou mez ,došlo by k zahřátí přechodu nad dovolenou teplotu a ke zničení diody.

   Malá změna závěrného napětí vyvolá velkou změnu závěrného proudu.

   Vyznačuje se ostrým zlomem v oblasti průrazu – U[Z].

   

   

   

   Schottkyho dioda    Schematická značka:

           

   - využívá ke své činnosti usměrňující kontakt polovodič – kov. Vyrábějí se např. napařením
   tenké vrstvy zlata na povrch epitaxní vrstvy arzenitu galia nebo platiny na povrch křemíku.
   V místě styku kovu s polovodičem dochází k velmi rychlému odsátí volných nosičů náboje kovem.
   Proto je doba zotavení těchto diod neobyčejně krátká – řadu jednotek pikosekund  a mezní
   frekvence je velmi vysoká – řadu desítek gigahertzů.Dovolené napětí  ve zpětném směru je však
   malé.Pro diodu GaAs – Au asi  - 3V a pro Si – Pt asi  - 30V.

   Jelikož kov nerad elektrony vydává, ale ochotně je přijímá, polovodič bude vodivosti N a musí
   mít více elektronů než kov  kov bude představovat anodu - kladnou elektrodu. Jelikož
   potenciálová bariéra se bude vytvářet pouze na straně polovodiče, bude stačit jen slabá vrstva
   kovu – pokovený polovodič. Z toho plyne také velká rychlost přechodu.

   Má ale i jednu nevýhodu – v závěrném směru poteče větší zbytkový proud  I[Z].

   - Schottkyho diody se používají  ve směšovačích a demodulátorech v pásmech centimetrových
   vln.Proti dříve používaným  hrotovým diodám mají menší šum,větší účinnost a větší odolnost
   proti elektrickému i mechanickému namáhání