Kalibrace manometrů Přímé porovnání Redukce tlaku • metody statické • metody dynamické Pomalý nárůst Molekulární proud Statická expanze Vi Vi Vn-l Vi + v2' V2 + V3 " ' Vn_x + Vn V, = 1000 cm <>*-0 V, = 25 cm 1_ 1firemnf materiály firmy Pfeiffer □ SP Dynamická expanze e P> k výveve s velkou čerpoa rychlosti Obr. 5.92. Aparatura pro kalibraci vakuometrů metodou s konstantním proudem. Místo dvou vakuometrů (7,8) je možno použít jen jeden (9) s dvoucestným kohoutem (10); 1,10 — kohouty; 2,4,6 — komory; 3,5, 7, 8, 9 — vakuometry; Gp G2 — vodivosti otvorů mezi příslušnými komorami J. Groszkowski: Technika vysokého vakua, SNTL, Praha 1981 Vakuová fyzika 1 3/33 / = G2(p2 - Pi) = Gi(pi - p') P2=l + ^(1-^) Pi G2 pro velkou čerpací rychlost p' Vakuová fyzika 1 Měření pomocí vodivosti JL ~i JL r L I k vv V v yvevc Obr. 5.95. Vakuové zařízení pro měření proudu plynu 1,2 - vakuometry; G - trubice se známou vodivostí _I_= G(pi - p2) kowski: Technika vysokého vakua, SNTL, Praha 1981 12 12S.Ďacľo, LBejček, A. Platil: Měření průtoku a výšky hladiny, šBen, -Praha 2005 Vakuová fyzika 1 16 / 33 Vakuové tuky a tmely Druh materiálu UZltl max T [°C] Pp [Pa] při 25 ° C maz L zabrus 30 10"5 - 10"7 maz M zabrus 30 10~3 - 10~5 maz N kohout 30 10"4 - 10"5 maz T zabrus 110 10~5 tmel Picein spoje 60 10~2 - 10~3 Vakuová hygiena Čistota povrchů, odmašťování, vyčištěných dílů se dotýkat pouze v rukavicích. vo 200 300 500 700 1000 2000 3000 13 13 J. Groszkowski: Technika vysokého vakua, SNTL, Praha 1981 5 ^) c\ o Vakuová fyzika 1 Rozebíratelné spoje zábrusy - zejména skleněné aparatury ISO-KF, (NW) ISO-K, ISO-F CF Vakuová fyzika 1 19 / 33 ISO-KF Vakuová fyzika 1 20 / 33 ISO-K, ISO-F CF OFHCCopper Gasket —T-V W :■ n ■ ■ in.- L . r • vm ■ ■ ■ 17 17firemní materiály firmy Pfeiffer Vakuová fyzika 1 23 / 33 tesnení min. tep [ °C] max. tep. [ °C] elastomer FKM -15 150 NBR -25 120 silikon -55 200 kov Cu -196 200 Cu + Ag -196 450 Vakuová fyzika 1 24/33 Load lock 18 18firemní materiály firmy Caburn MDC Vakuová fyzika 1 25 / 33 Výroba solárních článků Plasma A SiH^ + PH Shutter SmA + BoH 2* "6 Substrate t ti 'íl i M y*-i i i i i) «- Vacuum n-Chamber /-Chamber p-Charnber OHanlon: A Users Gaude to Vacuum Technology, Wiley (2003) Pokovení skel Glass Flow Process Pumping Process Pumping Isolation Pumping Cathodes Isolation Tunnel Flange Isolation F|ange Pumping 20 20 F.OHanlon: A Users Gaude to Vacuum Technology, Wiley (<2§03) Si - substráty Modular Process Zones Gate Valve Sputtering Chamber Door with Viewport Substrate Entry 21 21 F.OHanlon: A Users Gaude to Vacuum Technology, Wiley (2003) Vakuová fyzika 1 28 / 33 100 150 200 300 400 700 1000 1500 2000 4000 6000 10000 Wave length [nm] 22_ 22firemní materiály firmy Pfeiffer Vákuová fyzika 1 29/33 Značky Vacuum pump, general P>