4.2. Obojstranne leštený kremík Si19-28
Na tejto vzorke sme previedli iba meranie priepustnosti. Výsledkom je graf na obr. 6, pôvod absorpčných
píkov je identifikovaný v tabuľke 2. Táto vzorka nám neskôr poslúžila ako referenčná na
stanovenie relatívnej priepustnosti ostatných vzoriek.
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
TSi19-25
ν (cm
-1
)
I
II
III
IV
V VI
VII
VIII IX
Obr. 6: IR transmisné spektrum vzorky Si19-28.
Pík ν [cm−1] Konfigurácia
I 515 multifonónová absorpcia (LO+TA), intersticiálny kylsík (Si-O-Si)
II 563 multifonónová absorpcia (LO+TA)
III 610 multifonónová absorpcia (TO+TA)
IV 739 multifonónová absorpcia (LO+LA)
V 817 multifonónová absorpcia (TO+LA)
VI 890 multifonónová absorpcia (LO+TO)
VII 1107 intersticiálny kyslík (Si-O-Si)
VIII 1300 intersticiálny kyslík (Si-O-Si)
IX 1450 intersticiálny kyslík (Si-O-Si)
Tabuľka 2: Identifikácia absorpčných píkov vzorky Si19-28.
Píky I-VI je možné idetifikovať ako prevažne miltifonónové absorpcie LO a TA módov v kremíku.
Na vlnočte 515 cm−1 sa môže prejavovať intersticiálny kyslík. Pásy okolo vlnočtov 1107 cm−1, 1300 cm−1,
1450 cm−1 sú znovu prejavom absorpcie na komplexe typu Si-O-Si.
4.3. Organosilikónová polymérna vrstva
Na vrstve SiOCH bolo prevedené meranie priepustnosti v IR oblasti a meranie odrazivosti. Odrazivosť
bola nafitovaná pomocou rovnice (10) modelom neabsorbujúcej vrstvy s použitím dvojparametrického
Cauchyho vzťahu na absorbujúcom substráte. V grafe na obr. 7 je vynesená nameraná
odrazivosť R spolu s vyššie uvedeným fitom. V tabuľke 3 sú uvedené výsledky fitovania, kde d označuje
hrúbku vrstvy, a a b sú parametre Cauchyho formule. Z grafu je zrejmé, že fit pomerne presne
sedí pre celú meranú oblasť.
8