Polovodiče
 Látky se zakázaným pásem, vel. do cca 3eV; 4.skupina
 Pásové schéma
pás = oblast energ.
hladin blízko sebe
 S ↑T ↑σ (roste hustota nositelů náboje)
 Vlastní=intrinsický / Příměsové=extrinsické (N/P)
Si: Eg=1,1eV
Ge: Eg=0,67eV
GaAs: Eg=1,42eV
Příměsové polovodiče
 Typ N: 5 skup.; prvek - donor majoritní el
Typ P: 3 skup.; prvek – akceptor majoritní díry
 PN přechod = oblast rozhraní polovodičů N a P typu,
vlastnosti v závislosti na přiloženém napětí (viz dále)
Poslední obsazený stav
První neobsazený stav
Princip
 Pohyby nábojů :
 difuze (vliv koncentrace) ~ rekombinační proud
 drift (vlivem přiloženého pole) ~ generační proud
 Bez napětí
Difuze:
el. z N → P, díry z P →N =>
rekombinace (vznik ochuzené
oblasti bez prostor. náboje)
Princip
 Závěrný směr
ochuzená oblast rozšířena
(tzv. hradlová vrstva)
=> proud neprochází
 Propustný směr
zúžení ochuzené oblasti
(zmenšení odporu)
=> proud prochází
Využití
 Dioda
 Jeden PN přechod
 Více typů
 Foto-: I v důsledku světla, LED-: světlo je důsledek I
 Zenerova: závěrný směr, malé průrazné napětí, omezení U;I
 Schottkyho: usměrnění vyšších frekvencí
 Tranzistor – dva PN přechody
 Triak – tři PN přechody
Zdroje
 Přednášky F5090 Elektronika (2a)
 Přednášky F6121 Základy fyziky pevných látek
 Obrázky: google
Nízká TVysoká T
Z donorů
vlastní
Donory vyčerpány