II U II I SCI Shrnutí předchozí lekce • Edge effect-přesvětlení hran na straně přivrácené k SE detektoru • Kontrast • Materiálový kontrast • Topografický kontrast • Kanálový kontrast • EBSD: sklon vzorku 70° • v každém bodě skenování je vyhodnocen obrazec Kikuchiho linií • Kikuchiho linie jsou analyzovány pomocí Houghovy transformace-určení kryst. rovin • EBSD mapy-strukturní informace, orientace zrn pomocí Eulerových úhlů • EDX,WDX • vznik charakteristického RTG záření • EDX detektor-princip (obráceně polarizovaná PIN dioda, Sí(Li), chlazení) • WDX detektor-princip (monokrystalový detektor, Braggova podmínka) • srovnání EDX/WDX • metody vyhodnocení: ZAF, O, ALCHEMI II U II I SCI Focused ion beam (FIB) Fokusovaný iontový svazek (FIB) je speciální technika SEM, která využívá místo urychlených elektronů nabité částice kovů (katióny Ga, Au, Ir). Ga je umístěno v kontaktu s W jehlou-po zahřátí se v elektrickém poli formuje Ga do tvaru špičky (tzv. Taylor kužel) (d=2nm). Napětí na hrotu (108 V.cm"1) způsobuje ionizaci a emisní pole atomů galia. Zdrojové ionty jsou urychleny urychlovacím napětím 1-50 keV a zaostřeny elektrostatickými čočkami. Šířka fokusovaného svazku dosahuje jednotek nm. CDEM Detector TLD Detector SE Detector (Everhart-Thomley) CCD Camera GIS {Gas Injection System - Rectracted) EBSD Detector (Inserted) Stub Holder (on 6 -Stage) (not visible: EDX detector, STEM detector, Omniprobe) Konektory pro přívod proudu k cívce pro ohřev rezervoáru s Ga které samovolně stéká k hrotu Zásobník s Ga a wolframový hrot "Supresor" pro regulaci emisního proudu z LMIS zdroje Extrakčni elektroda vytrhává Ga z wolframového hrotu Clonka usměrňující svazek 1. Elektrostatická čočka (tzv. kondensorová pro formování svazku) Clonky s různým průměrem pro změnu proudu ve svazku • Řádkovaci a vychylovaci systém svazku / ^ 2. Elektrostatická čočka (tzv. objektivová / fokusuje svazek iontu na vzorek) 2 II U II I SCI Focused ion beam (FIB) lont Ga Elektron Průměr částice 0,27 nm 0,000005 nm Hmotnost částice l,2xl0-25 kg 9,lxl0-31 kg Rychlost částic při urychlovacím napětí 30 kV 280 km/s 100 000 km/s Rychlost částic při urychlovacím napětí 2 kV 73 km/s 26 000 km/s Svazek Ga iontů ve FIB Svazek elektronů v SEM Průměr svazku 10°-102 nm ÍO^-IO1 nm Obvyklé urychlovací napětí 1-30 kV Proud ve svazku 10° -105 pA 10°-105 pA Hloubka vniku částice do železa při urychlovacím napětí 30 kV střední ~11 nm maximální ~30 nm střední ~1100 nm maximální ~3500 nm II U II I SCI Focused ion beam (FIB)-aplikace Příprava vzorků TEM: pomocí metody FIB-SEM lze selektivně vybrat vhodné místo pro přípravu lamelek vzorků pro TEM o tloušťce cca 100 nm. Při výrobě je nutné dávat pozor na zpětnou depozici TEM sample preparation 5 Focused ion beam (FIB)-lamelka NiSeSn y II U II I SCI Focused ion beam (FIB)-lamelka NiSeSn SEM HV: 10.0 kV View field: 78.2 Mm Print MAG: 2.28 Kx 20 m y| Focused ion beam (FIB)-lamelka Materiál při přípravě lamelky reaguje selektivně: Příklad pásků Fe-Si-Nb připravených metodou melt spinning a následně žíhaných za různých podmínek 470 °C, vac II U II I SCI Focused ion beam (FIB)-aplikace • FIB-SEM tomografie-kombinuje metody SEM a FIB pro získání informace o vnitřní struktuře pevných 3D vzorků. Vrstva vzorku je postupně odprášena pomocí FIB, zatímco nově exponovaný povrch je sledován pomocí SEM. Shromážděná série obrázků řezů je následně digitálně rekonstruována do 3D objemu. Tato metoda je destruktivní. https://www.youtube.com/watch?v=zlqdan8f5QA II U II I SCI FIB-plazmový zdroj iontů poměrně nová alternativa tradičnímu FIB zdrojem iontů pro fokusovaný iontový svazek je plazma xenónu vytvořená pomocí elektrického výboje výhody: • možnost dosažení vysokých proudů (~|iA) ve svazku • spolu s vysokou hmotností Xe to vede k rychlejšímu odemílání materiálu • Další výhodou oproti Ga FIB je inertnostXe iontů, které při interakci s pevnou látkou chemicky nereagují i když se mohou do povrchu implantovat nevýhody: výrazně horší možnost fokusace oproti Ga (rozlišení Ga FIB ~5 nm, XE FIB ~25 nm při 30 kV) => nelze obrábět s takovou přesností jako Ga FIB => horší rozlišení v režimu zobrazování vhodné především na hrubší obrábění a a provádění velkých řezů (>100 |im) TSVcross section was milled 45 minutes, using Xe beam at30kV, 2 /jA Its dimensions are 400 microns long, 100 microns wide and 50 microns deep. Deep fine polishing of 4 vias took 30 minutes. Using ion beam would need approximately 40 hours for rough milling and another at least 10 hours fine polishing. 10 II U II I SCI Příprava vzorků SEM - metalografie • odběr charakteristické místo bez ovlivnění materiálu • preparace zalisování za tepla - pozor na ovlivnění struktury teplem zalití za studena • broušení od nejhrubšího papíru po nejjemnější brousí se převážně pod vodou - chlazení a odvod třísek minimální čas, minimální tlak • leštění diamantové suspenze s použitím smáčedla (nejčastěji etanol) případně Al203 nebo Si02 suspenze; elektrolyticky • pozorování metalografického vzorku po leštění - inkluze, porozita, koroze, trhliny,.... po leptání - strukturní detaily cidbt.T vzorku preparace pozorovaní leptáni broušeni n i n mm leštěni 11 II U II I SCI Příprava vzorků SEM - odběr * metalografická pila • určená k manuálnímu i automatickému přesnému dělení velmi malých i větších vzorků • stolek pohyblivý v obou osách • předdefinované programy - poloha stolu, počet řezů, úroveň citlivosti snímání řezného odporu apod • krokový i diagonální řez - přičemž dělící síla je závislá na rychlosti posuvu • umožňuje také automatické pulzní dělení materiálu II U II I SCI Příprava vzorků SEM - preparace automatický metalografický lis • vzorek se vloží na píst do lisovací komory • po spuštění pístu do spodní polohu se vzorek zasype práškovou lisovací hmotou (vodivá nebo nevodivá-pryskyřice dopovaní mědí nebo grafitem) • hmotu se vzorkem lisujeme při dané teplotě a tlaku-pozor na možné poškození vzorku (lisovací teplota je až 200 °C) zamykaní komory chambre locking ovládací panel " control panel zapnout switch on • zalévání za studena • vzorek se vloží na dno zalévací formičky • zalije se obvykle vícesložkovou zalévací směsí (pryskyřice) • po ztuhnutí vyjmeme z formičky 13 II U II I SCI Příprava vzorků SEM - broušení * metalografická bruska • manuální, semiautomatická, automatická • malé vzorky je potřeba mít uchycené v pryskyřici nebo v čelistech • brousí se za mokra (voda nebo Et-OH, isopropanol atd..) • postupně na brusných papírech s klesající zrnitostí (označené číslem - počet zrn na cm2 => čím větší, tím jemnější papír, do 1500-2000) s minimálním přítlakem • brousí se pouze nezbytnou dobu - kdy už není možné rozeznat rýhy z předchozího broušení 1. přívod vody II U II I SCI Příprava vzorků SEM - leštění metalografická bruska • k leštění se nanáší leštící suspenze na nosné leštící plátno nebo leštící kotouč • leští se též za mokra, ale plátno se jen kropí-nesmí být mokré • diamantová pasta: velikost částic 1 u.m • suspenze OP-S ( • dochází i k naleptání hranic zrn vibrační leštění • k jemnému doleštění vzroků, které se nepovedlo vyleštit standardním postupem • vzorky se položí na vibrační desku na které je ca. 3mm vrstva leštícího média • pomocí jemných vibrací dochází k vyrovnání povrchu vzorku • nevýhoda: je to pomalá metoda-leští se jednotky hodin nastavení otáček rotation speed knob emergency stop vibrations on vibrations off polishing cloth with specimens switch on switch off vibrations intensity 15 II U II I SCI Příprava vzorků SEM - leptání základní metody 1. na hranice zrn: leptání vzorku dochází primárně na hranicích zrn-tím se zvýrazní jednotlivá zrna 2. plošné leptání: pro barevné rozlišení zrn různé orientace 3. selektivní leptání: rozlišení zrn různých fází (rozdílná reaktivita) zpravidla ve směsi kyselin / zásad leptají se z pravidla čerstvě vyleštěné vzorky vhodná leptadla a způsob aplikace (ponoření, potírání, opakované leptání - doleptávání, použití více leptadel, teplota,...) jsou specifické pro různé materiály-lze dohledat v literatuře časy uvedené při leptání jsou pouze orientační-každý vzorek může (díky odlišnému lokálnímu chemickému složení, procesu výroby,...) reagovat odlišně někdy je možné / doporučené vícenásobné leptání - opakovaně v jednom leptadle, nebo v různých leptadlech II U II I SCI Příprava vzorků SEM - pozorování • výsledky jednotlivých kroků lze sledovat pomocí metalografického optického mikroskopu • umožňuje pozorování v odraženém světle s aplikací polarizačního filtru • obvykle vybaven možností připojit kameru/fotoaparát II U II I SCI Environmentálni EREM • Environmentálni rastrovací elektronová mikroskopie umožňuje zkoumání vzorků živé či neživé přírody v podmínkách vysokého tlaku plynů - až 3000 Pa. V důsledku vysokého tlaku plynů v komoře vzorku EREM dochází ke zvýšenému počtu interakcí e. s molekulami a atomy plynů, což je provázáno s rozptylem primárního e. svazku, zvětšením průměru jeho stopy při dopadu na vzorek a nárůstem šumu v obraze. Rozptyl PE roste se zvyšujícím se tlakem plynu, pracovní vzdáleností a s klesajícím urychlovacím napětím svazku. To je ale kompenzováno tím, že vzorky mohou být pozorovány bez nutnosti jejich předchozí preparace, či výskytu nežádoucích II U II SCI Vakuový systém a vakuové módy EREM High vacuum: vhodný pro vysušené, elektricky vodivé vzorky Low vacuum: (asi do 330 Pa) vhodný pro elektricky nevodivé vzorky bez nutnosti zvodivění jejich povrchu ESEM: (asi do 2500 Pa) vhodný pro vysoce vlhké nevodivé vzorky bez nutnosti zvodivění jejich povrchu a dynamické in-situ experimenty jako je např. tání, tuhnutí, kondenzace aj. často za využití chlazeného či vyhřívaného držáku vzorku 19 Rozptyl e. v prostředí vysokého tlaku EREM SOPa j lOOOPa 3000Pa » 1 95% el. je nerozptýleno 37% el. je nerozptýleno 5% el. je nerozptýleno : • ô Obľ.l.: in = 0.05 Obr.2: m = 1 Obr.3.: m = 3 Flight simulator (metoda Monte Carlo), 10000 elektronů prim. svazku v prostřed vodních par komory vzorku EREM pro různé hodnoty m (Ep=20 keV, WD=2mm) m - průměrný počet srážek na jeden elektron (-) [9] ax- celkový účinný průřez molekul plynu (ni2) p - tlak plynu (Pa) d - délka dráhy elektronu v plynu (m) k - Boltzmamiova konstanta T - teplota (K) II U II I SCI Rozptyl e. v prostředí vysokého tlaku EREM Rozptyl elektronů primárního svazku procházejícího prostředím vysokého tlaku plynů v EREM má za následek snížení poměru signál/šum v detekovaném signálu, což může vést až ke snížení rozlišovací schopnosti mikroskopu. Tento problém může být řešen: • zkrácením dráhy elektronů procházejícím prostředím vysokého tlaku plynů • zvýšením urychlovacího napětí elektronů primárního svazku • vhodnou volbou druhu plynu a minimalizace jeho tlaku • snížením rychlosti rastrování Detekce SE v EREM Enviromental secondary detector ESD: zjednodušeně lze připodobnit k deskovému kondenzátoru se vzduchovým dielektrikem, mezi jehož deskami je elektrostatické pole Je-li kinetická energie elektronů dostatečná k ionizaci molekul plynu, dochází k lavinovému násobení signálních elektronů , jenž jsou přitahovány k honí elektrodě detektoru Výhody: • signál ze vzorku může být zesílen v řádu stonásobků původního signálu • kladné ionty vznikající jako důsledek srážek elektronů s molekulami plynu neutralizují záporný náboj na izolačních vzorcích a odstraňují povrchovou kontaminaci vzorku Nevýhody: • ESD zaznamenává smíšený signál SE, BSE a PE, což způsobuje výskyt SE topografického a BSE materiálového kontrastu v obraze II U II I SCI EREM - aplikace Lidská cévní náhrada -bezprostředně po vyndáni z lidského těla (mag.SOOx). Lidský vlas - mas (900x) Lidská žaludeční stěna s metastázami rakovin}-. (450x) 23 II U II I SCI EREM - aplikace II U II I SCI n-situ elektronová mikroskopie \ \ % '\. % \ •% % %. ^ty $b "fe. pro poznání vlastností materiálů je vhodné znát nejen počáteční a konečný stav, ale i možnost sledovat změny přímo využívá se pro sledování odezvy vzorku na podnět v reálném čase elektronový mikroskop musí snímat dostatečně rychle EM je nutno doplnit o dodatečné moduly tj. držák vzorků schopný aplikovat vnější podněty ohřev / chlazení elektrické napětí mechanické namáhání reaktivní prostředí (kapalinové nebo plynové reakční články) ozařování vzorků fotony využívá se automatické vyhodnocování výsledků Graphene ETEM Encapsule Gas cell StN, Liquid Cell Molecular Reactions In situ TEM Electric Biasing Na no mechanics. Light Spln Interaction Coupling r II U II I SCI Reakční držáky vzorků Držáky se změnou teploty Ohřev vzorku • většina držáků TEM pro ohřev vzorků má válcovou miniaturní pec (topnou spirálu), na (ve) které je umístěn vzorek o průměru 3 mm • okolí pece je chlazeno vodou - minimalizace sálání tepla do prostoru mikroskopu, omezení driftu vzorku (speciálně pro teploty nad 800°C) r—- II U II I SCI Peltierův článek funguje na prinicpu tzv. Peltierova jevu: když prochází proud obvodem se dvěma rozdílnými vodiči zapojenými v sérii (bismut a tellur, polovodiče), jejich spojené konce se ochlazují a jejich opačné konce zahřívají Maximální chladicí výkon se pohybuje od desetiny wattu až po stovky wattů. Maximální rozdíl teplot může dosahovat 60 až 75 °C lze zapojit i obráceně: změnou teplot lze generovat proud absoibovnne replo Výhody: Malé rozměry Okamžitý efekt chlazení/topení Dosažení nízkých teplot až -20 °C Snadná regulace výkonu Absolutně tichý provoz (žádné pohyblivé části) Dlouhá životnost (teoreticky neomezená) Možnost usměrnit chlazení na velmi malou plochu (lze chladit i 10x10 mm preparát na podložním sklíčku mikroskopu) Snadná změna směru toku tepla (změna studené a teplé strany článku) - pouze změnou směru elektrického proudu Nevýhody: Přehřívání Velká spotřeba proudu Vyšší cena v případě potřeby velkého chladicího výkonu Malý rozdíl teplot mezi studenou a teplou stranou článku Nižší účinnost v porovnání s kompresorovým chlazením 27 II U II I SCI Reakční držáky vzorků Gas cell EM • konvenční TEM pracuje za podmínek vysokého vakua • pro získání informací o chování materiál v reálném prostředí je vhodné studovat vzorky i v odlišné atmosféře • existují dvě základní platformy • konfigurace s otevřenými buňkami-omezuje plynnou atmosféru v blízkosti vzorku pomocí tlaku. Otvory omezující tlak jsou umístěny v čočce objektivu v těsné blízkosti vzorku a diferenciální čerpací systém je vybaven tak, aby se zabránilo difúzi molekul plynu z komory směrem k jiným částem TEM, zejména k elektronovému dělu. • uzavřené plynové/kapalinové komůrky - uzavření vzorku a vysokotlakého plynu do malého prostoru • reakční objem a vzorek jsou ohraničeny elektronově průhledným horním a dolním oknem, které umožňuje zavedení a utěsnění plynné atmosféry • vhodné zejména pro: (de)hydrogeační procesy, interakce mezi pevnou a plynnou fází, potlačení odpařování vzorku, oxidace a redukce kovů, růst nanostruktur oxidů kovů, reakce s ionizovaným plynem. Leptání nanočástic PbSe https://www.youtubexom/watch?v=7sX7B0RSDWw&ab_channel=ScienceX%3APhys.org%2CM edicalXpress%2CTechXplore Kombinovaný držák TEM vzorků https://www.youtubexom/watch?v=QWtM8zpCUuO&ab_channel=Protochips MUNI SCI Reakční držáky vzorků Liquid cell EM • reakce probíhá v kapalném prostředí • LC se typicky skládá ze dvou membrán které zapouzdřují vzorek v kapalném prostředí • lze využít pro pozorování v SEM (A), TEM (B), STEM (C) • materiál membrány musí být vhodně zvolený průhlednost pro elektrony homogenita tloušťky stabilita ve vysokém vakuu bez nabíjecích efektů omezení ohřevu při interakci s elektrony např: Si3N4 o d=10-50 nm, (D) vícevrstvý grafen nebo oxid grafenu d<10nm (E) Vacuum (ÍO-MO-4 Pa) Mechanical support / Sample Incident electron beam SEM Backscattered electrons Vacuum (HT'-lO-'Pa) Incident electron beam TEM Aqueous medium Liquid cell (internal pressure 10s Pa) Aqueous medium §-* Liquid cell _ r (internal pressure 10s Pa} Mechanical support Sample Transmitted electron beam Vacuum {10~s-10-8 Pa) Incident electron beam STEM Graphene sheets Leptání nanočástic PbSe v k Aqueous medium U https://www.youtube.com/watch?v=7sX7B0RSDWw&ab_channel=ScienceX%3APhys.org%2CM edicalXpress%2CTechXplore Kombinovaný držák TEM vzorků https://www.youtube.com/watch?v=zoSWBStFBrY&ab_channel=Protochips Mechanical support Sample Scattered electrons Annular dark field detector 29 II U II I SCI Mechanické namáhání • v prostoru komory je umístěno zařízení pro studium mechanického namáhání vzorků • zóna změny geometrie vzorku je snímána pomocí EM • s využitím EBSD je možné určit vliv namáhání na zrna o různé orientaci • zařízení může být doplněno o ohřev vzorku • možné zkoušky: • tahové zkoušky (viz videa od T. Krumla) • Cyklické zkoušky (tah - tlak) • deformační zkouška kroucením • Nanoindentace - in-situ měření tvrdosti • Mikrokoprese pilířků - tlaková zkouška plochým hrotem Tahová zkouška-animace https://www.youtubexom/watch?v=qCMGoktXSF4&ab_channel=ZEISSMicroscopy Particle compression https://www.youtubexom/watch?v=mBa7iNbhjPM&ab_channel=MingwenBai II U II I SCI Příprava biologických vzorků • biologické vzorky obsahují vodu - problém se stabilitou ve vakuu • pro vysokovakuové SEM suché • pro nízkovakuové-do 70 % vody • pro environmentálni-zavodněné • stabilita při ozáření primárními elektrony • dostatečná produkce detekovaných signálů • zastavení změn souvisejících s posmrtným rozkladem po odebrání vzorku II U II I SCI Příprava biologických vzorků a) Tradiční příprava preparátu: 1. fixace: glyceraldehyd, formaldehyd, Os04 2. dehydratace: aceton, ethanol 3. sušení: CPD(critical point drying), t-butanol, sušení na vzduchu 4. lepení na terče 5. zvýšení povrchové vodivosti (pokovení Pt, Au) • zvyšuje produkci SE a BSE • snižuje tepelné poškození a nabíjení povrchu vzorku II U II I SCI Příprava biologických vzorků b) vitrifikace-transfomace látky na sklo krystalický led: nižší hustotu a větší objem než kapalná voda vitrifikovaný led: zhruba stejnou hustotu i objem jako voda bez segregace rozpouštědla a rozpuštěných látek Způsob přípravy vitrifikovaného ledu: 1) rychlým zamrazením (>5*105) 2) mrazení při vysokém tlaku 3) použití kryoprotektantu během mrazení Chladivo: kapalný dusík: bod varu -196°C, bod tuhnutí -210°C nízká teplotní kapacita, chlazený materiál je obklopen vrstvou plynného N2=izolátor kapalný etan: bod varu -88°C, bod tuhnutí -182°C vysoká teplotní kapacita II U II I SCI Kryoelektronová mikroskopie (cryo-EM) Kryoelektronová mikroskopie • využívá se především v biochemii a biologii • umožňuje studovat struktury buněk, virů atd. téměř v atomovém rozlišení • bývá spojena s vytvářením 3D modelů • celá komora se vzorkem musí být neustále chlazená kapalným dusíkem, aby nedošlo ke ztrátě vitrifikovaného ledu https://www.youtubexom/watch?v=6G550 https://www.youtubexom/watch?v=L-65m Čtverec v sítce Dira v uhlíkovém filmu Pricny rez dírou v C filmu Led preklenujici díru ■3 mm- • 60 [j.m - 1 (im-H Zachycené častice |í-1 (jim-H 34 rekonstrukce biolgických vzorků Sample preparation duration: ~5 days 0) ■ osmium, staining with ■ ■ Jrariitlm, heavy metals | | |MCj i4) denici ra:i on (5) embedding In epoxyresin graded pihannl series curing in oven (6) trimming fcíSÉMj rigid block coating diamond knife Volume SEM acquisition Serial Block-Face Electron Microscopy (SBEM) ic cutting- ^_ acquisition cycle Image processing/analysis image tiles j Focused Ion Beam Scanning Electron Microscopy (FIB-SEM) milling- | acquisition cycle Automatic Tape-Collectinq Lltramicrotome,' SEM Imaqing diamond knife sample SEM tapewith sections on wafer visualization, annotation, and analysis MUNI SCI Porovnání metod přípravy vzorků Distribuce velikosti hlavičky spermie jesetera v závislosti na metodě přípravy preparátu a) CPD drying b) t-butylalkohol c) ESEM d) cryo-SEM Pšenička et.al.: Micron, 41(5), 2010 II U II I SCI Elektronová litografie • technika umožňující zápis elektronovým svazkem • svazek lze vychylovat a) v pravidelném rastru (rastrový zápis) b) na libovolnou pozici vychylovacího pole (vektorový zápis) • využívá se netermické (tzn. nic se nevypaluje) interakce svazku energetických (urychlených) elektronů s vrstvou vhodné látky - tzv. elektronového rezistu • elektronový rezist: obvykle makromolekulami látka senzitivní na elmag. záření-působením energie PE dochází k chemické změně polymeru (síťování-negativní rezist) nebo k degradaci (pozitivní rezist) • Při průchodu elektronů vrstvou rezistu dochází k elastickým a neelastickým kolizím elektronů s molekulami případně atomy rezistu a při těchto interakcích předávají elektrony svoji energii ozařovanému materiálu • V elektronovém rezistu tak vzniká latentní obraz, který je nutné nějakým způsobem následně vyvolat 37 II U II I SCI Elektronová litografie-postup https://www.youtubexom/watch?v=yt6yf^ II U II I SCI BS 600, parametry Urychlovací napětí: 15 kV Tvarovaný svazek: 0.1 - 6 um (po 100 nm) Proudová hustota ve svazku: 0.5 - 1 A/cm2 Krok vychylování svazku: 100 nm Max. velikost vychylování: 3 mm x 3 mm Krok interferometrů: 40nm (lambda/16) Krok korekcí: 100 nm Mezní rozlišení: 100 nm Strategie zápisu (expozice): vektorové vychylování pravoúhle tvarovaného svazku proměnných rozměrů Maximální velikost substrátů: 4x4 inch2 horní clona elektrody vychylování MUNI SCI Aktuální modely-Tescan b'tescan Materiálové vědy • TESCAN VEGA - W katoda • TESCAN MIRA-Schotky katoda • TESCAN CLARA - Schotky katoda + nízké kV • TESCAN MAGNA - Schotky katoda + imerzní mód + STEM Živá příroda • TESCAN CLARA CRYO • TESCAN MAGNA Geovědy • TESCAN TIMA-4 detektory EDS, automatická identifikace minerálů TI —— II U II I SCI Aktuální modely-Thermo Fisher scientific Thermo Fisher SCIENTIFIC SEM • AXIA-simultánní EDS SEM analýza • Verios-při nízkém napětí (20eV-30 keV) • Quattro-FEG SEM, ESEM, in-situ • Prisma- ESEM, in-situ • Apreo-při nízkém napětí (20eV-30 keV) • VolumeScope-3D SEM with diamond knife Desktop SEM • Phenom-řada modelů dle specifikace, do 20 kV FIB-SEM Helios (Ga nebo plasma) Helios Axia Phenom II U II I SCI Aktuální modely-Delong instruments TEM LVEM (Delong's low-voltage electron microscopes) • nejmenšíTEM