PřF:F5520 Principy polovodičových souč. - Informace o předmětu
F5520 Principy polovodičových součástek
Přírodovědecká fakultajaro 2014
- Rozsah
- 3/0. 3 kr. (plus ukončení). Doporučované ukončení: zk. Jiná možná ukončení: k.
- Vyučující
- RNDr. Milan Líbezný (přednášející), doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D. (zástupce)
- Garance
- prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
Ústav fyziky kondenzovaných látek – Fyzikální sekce – Přírodovědecká fakulta
Kontaktní osoba: doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D.
Dodavatelské pracoviště: Ústav fyziky kondenzovaných látek – Fyzikální sekce – Přírodovědecká fakulta - Rozvrh
- Čt 14:00–16:50 Fs1 6/1017
- Omezení zápisu do předmětu
- Předmět je otevřen studentům libovolného oboru.
- Cíle předmětu
- V kurzu je obsažen přehled základů fyziky polovodičů. Poskytuje porozumění funkci základních polovodičových součástek.
- Osnova
- 1. Základy fyziky polovodičů, kinetika nosičů náboje 2. Elektrony a díry v nerovnovážném stavu, generace a rekombinace 3. P-N přechod, I-V charakteristiky, průrazné mechanismy P-N přechodu 4. Kontakt kov-polovodič, Schottky dioda 5. Bipolární transistor - klasický model, omezení platnosti a modifikace klasického modelu, mezní hodnoty napětí, vysokofrekvenční vlastnosti, heteropřechodový bipolární transistor 6. Základy fyziky MOS struktury 7. MOS transistor, základní charakteristiky, průrazy v MOS transistoru, škálování MOS transistoru, transistor s krátkým kanálem
- Literatura
- SZE, S. M. Semiconductor devices : physics and technology. 2nd ed. New York: John Wiley & Sons, 2002, viii, 564. ISBN 0471333727. info
- Výukové metody
- Teoretická příprava. Diskuse.
- Metody hodnocení
- Součástí výuky je diskuse k tématům zadaným k přípravě. Zkouška je konána ústní formou.
- Informace učitele
- Vyučujícími předmětu jsou Ing. Vladimir Strakoš a Dr. Milan Libezný. Zkušební okruhy jsou umístěny ve studijních materiálech předmětu.
- Další komentáře
- Studijní materiály
Předmět je vyučován jednou za dva roky.
L.
- Statistika zápisu (jaro 2014, nejnovější)
- Permalink: https://is.muni.cz/predmet/sci/jaro2014/F5520