PřF:F9800 Fyzika kondenzovaných látek II - Informace o předmětu
F9800 Fyzika kondenzovaných látek II
Přírodovědecká fakultajaro 2018
- Rozsah
- 3/1/0. 4 kr. (plus ukončení). Ukončení: zk.
- Vyučující
- prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc. (přednášející)
Dominique Alain Geffroy, Ph.D. (cvičící) - Garance
- prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
Ústav fyziky kondenzovaných látek – Fyzikální sekce – Přírodovědecká fakulta
Kontaktní osoba: prof. Mgr. Dominik Munzar, Dr.
Dodavatelské pracoviště: Ústav fyziky kondenzovaných látek – Fyzikální sekce – Přírodovědecká fakulta - Rozvrh
- Út 12:00–12:50 F4,03017, Út 13:00–15:50 F4,03017
- Předpoklady
- F8800
- Omezení zápisu do předmětu
- Předmět je nabízen i studentům mimo mateřské obory.
- Mateřské obory/plány
- Fyzika kondenzovaných látek (program PřF, N-FY)
- Cíle předmětu
- Na konci tohoto kursu zvládne student základní faktografii polovodičů, zejména jejich krystalové struktury, pásové struktury, souvislosti mřížkových parametrů a gapů. Porozumí vlastnotem elementárních a směsných polovodičů a jejich slitin. Zvládne vibrační strukturu, optická a Ramanovská spektra, nepružný neutronový rozptyl, lokalizované vibrace. Seznámí se detailně s energiovými pásy konkrétních polovodičů (Si, Ge, SiGe, GaAs, AlAs, III-V, II-VI). Získá detailní znalosti extrémů valenčních a vodivostních pásů a jejich projevů v cyklotronové rezonanci. Seznámí se s mělkými příměsovými stavy a s povrchovými stavy. Zvládne popis transportních jevů v intrinsických a homogenně dopovaných materiálech, ve strukturách s nehomogenním dopingem a transport v magnetickém poli. Seznámí se se současným stavem výzkumu magnetických polovodičů.
- Výstupy z učení
- Student -zná základní faktografii polovodičů, zejména jejich krystalové struktury, pásové struktury, souvislosti mřížkových parametrů a gapů. -rozumí vlastnotem elementárních a směsných polovodičů a jejich slitin. -ovládá vibrační strukturu, optická a Ramanovská spektra, nepružný neutronový rozptyl, lokalizované vibrace. - rozumí detailně energiovým pásům konkrétních polovodičů (Si, Ge, SiGe, GaAs, AlAs, III-V, II-VI) - zná extrémy valenčních a vodivostních pásů a jejich projevů v cyklotronové rezonanci. - ovládá popis transportních jevů v intrinsických a homogenně dopovaných materiálech, ve strukturách s nehomogenním dopingem a transport v magnetickém poli.
- Osnova
- Polovodiče: krystalová struktura, pásová struktura, mřížkové parametry a gapy. Elementární a směsné polovodiče, slitiny. Symetrie a teorie grup. Vibrační struktura, optická a Ramanovská spektra, neutronový rozptyl. Lokalizované vibrace. Energiové pásy konkrétních polovodičů detailně (Si, Ge, SiGe, GaAs, AlAs, III-V, II-VI). Extrémy valenčních a vodivostních pásů, cyklotronová rezonance. Mělké příměsové stavy. Povrchové stavy. Transportní jevy v polovodičích. Intrinsické a homogenně dopované materiály. Nehomogenní doping. Transport v magnetickém poli. Magnetické polovodiče.
- Literatura
- YU, Peter Y. a Manuel CARDONA. Fundamentals of semiconductors : physics and materials properties. 4th ed. Heidelberg: Springer, 2010, xx, 775. ISBN 9783642007095. info
- GROSSO, Giuseppe a Guiseppe PASTORI PARRAVICINI. Solid state physics. San Diego: Academic Press, 2000, xiii, 727. ISBN 012304460X. info
- Výukové metody
- Přednáška, cvičení
- Metody hodnocení
- Zkouška: písemná část s řešením několika úloh, ústní zkouška testující - všeobecný přehled v tématice, - hlubší porozumění vybrané části kursu.
- Navazující předměty
- Další komentáře
- Studijní materiály
Předmět je vyučován každoročně.
- Statistika zápisu (jaro 2018, nejnovější)
- Permalink: https://is.muni.cz/predmet/sci/jaro2018/F9800