PřF:IC020 Silicon nanoelectronics - Informace o předmětu

IC020 Silicon nanoelectronics: Toward manipulation of a few electrons, photons and ions

Přírodovědecká fakulta
podzim 2008

Rozsah: 0/0. 2 kr. (od 1 krok 1 kred). Doporučované ukončení: z. Jiná možná ukončení: zk, k, kz.
Vyučující: prof. Michiharu Tabe (přednášející)
Garance: prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
Ústav fyziky kondenzovaných látek – Fyzikální sekce – Přírodovědecká fakulta
Kontaktní osoba: prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
Omezení zápisu do předmětu: Předmět je otevřen studentům libovolného oboru.
Cíle předmětu: Physics of electron-tunneling and its related devices will be presented, as well as device fabrication processes in the field of Si technology. In particular, the comparative study of coherent and incoherent nature of electron tunneling will be presented as the basis of single-electron devices, i. e., resonant tunneling diodes with double barrier structures, tunneling via quantum dots, and so on. A number of important research topics related to Si single-electron devices will be presented, such as single-electron transfer, single-photon detection, and single-ion detection by the single-electron devices. A high-resolution surface potential measurement technology (Kelvin-probe force microscopy) will be also presented.
Vyučovací jazyk: Angličtina
Další komentáře: Předmět je dovoleno ukončit i mimo zkouškové období.
Předmět je vyučován jednorázově.
Výuka probíhá blokově.

Předmět je zařazen také v obdobích podzim 2007.