PřF FYPZK Fyzika plazmatu
Název anglicky: Plasma Physics
doktorský kombinovaný se specializací, vyučovací jazyk: čeština
Zahrnut v programu: PřF D-FY_ Fyzika
doktorský kombinovaný se specializací, vyučovací jazyk: čeština
Zahrnut v programu: PřF D-FY_ Fyzika
Informace o studiu
- Státní doktorská zkouška a obhajoba disertační práceStátní doktorská zkouška
Státní doktorská zkouška prověřuje hloubku a rozsah uchazečových znalostí fyziky plazmatu, příbuzných disciplín a disciplín souvisejících s tématem dizertační práce a schopnost studenta přistupovat tvůrčím způsobem k řešení fyzikálních problémů. Státní doktorská zkouška je ústní, zkoušenou problematiku a otázky zadávají členové komise. Student má právo na přípravu délky do 30 minut.
Podmínkou pro přístup ke státní doktorské zkoušce je úspěšné absolvování předmětů FC154 Studium odborné literatury 1, FB153 Studium odborné literatury 2 a alespoň jednoho z předmětů úvodního kurzu (FB502 Deposition and analysis of thin films, FB501 Plasma diagnostics and simulations, FB503 Surface modifications and plasma applications).
Požadavky na doktorskou dizertační práci
Student předkládá dizertační práci ve shodě se studijním a zkušebním řádem MU. Základem dizertace jsou původní vědecké (teoretické, experimentální či aplikované) výsledky studenta získané během jeho doktorského sudia. Podmínkou je, že tyto výsledky nebo jejich část byla publikována nebo přijata k publikaci v renomovaných odborných časopisech. Pokud student uvádí výsledky kolektivní práce, uvede i které části práce jsou jeho dílem. - Studijní a výzkumné povinnostiPříprava disertační práce probíhá po celou dobu studia a činí minimálně 60% pracovní zátěže. Nejpozději do druhého semestru vytvoří student svůj individuální studijní plán (ISP) a předloží ho ke schválení oborové komisi.
Nejpozději do třetího roku studia, tj. do konce 6. semestru, student:
- absolvuje všechny předměty teoretické přípravy (povinné a zvolené po dohodě se školitelem v ISP), tvoří zhruba 20% pracovní zátěže (bod 4 doporučeného ISP) s výjimkou seminářů
- představí výsledky své práce (přednáška v angličtině) na ústavním semináři (bod 5 ISP)
- prokáže splnění povinností jazykové kompetence (bod 6 ISP)
- splní povinnosti spojené s pedagogickým rozvojem, maximálně 10% pracovní zátěže (bod 8 ISP)
Do konce studia, ideálně do konce standardní doby studia, tj. do konce 8. semestru, student:
- splní povinnost prezentace na zahraniční konferenci (bod 3 ISP)
- absolvuje nejméně měsíční stáž v zahraničí. Po dobu zahraniční stáže nemusí navštěvovat semináře ústavu.
- publikuje své výsledky v mezinárodním vědeckém časopise, tvoří 10% celkové pracovní zátěže (bod 2 ISP)
- zpracuje disertační práci a předloží žádost o obhajobu disertační práce (body 1 a 2 ISP) - Návrh témat disertačních prací a témata obhájených pracíModelování plazmových zdrojů s magnetickým polem, Mgr. Martin Kubečka,
Vedoucí práce: Mgr. Zdeněk Bonaventura, Ph.D.
Čištění a aktivace povrchu kovů a polovodičů v plazmatu generovaném za atmosférického tlaku, Vedoucí práce: prof. RNDr. Mirko Černák
Elektrická a spektroskopická analýza mikrovýbojů, Vedoucí práce: Mgr. Tomáš Hoder, Ph.D.
Doporučený průchod studijním plánem
Povinné
Povinně volitelné
Student si zapisuje alespoň jeden ze tří předmětů.
Volitelné
Kód | Název | Ukončení | Kreditů | Semestr | Profilace |
PřF:F7900 | Studentský seminář | z | 1 | 1 | - |
PřF:FB010 | Elementární srážkové procesy v plazmatu 2 | k | 3+1 | 1 | - |
PřF:FB041 | Seminář plazmové depozice a charakterizace materiálů | z | 1 | 1 | - |
PřF:FB100 | Plasma chemical processes (Plazmochemické procesy) | z | 2 | 1 | - |
PřF:FB240 | Fyzika vysokofrekvenčních výbojů | z | 2 | 1 | - |
PřF:FC020 | Numerické metody ve fyzice plazmatu | k | 2+1 | 2 | - |
PřF:FC042 | Seminář plazmové depozice a charakterizace materiálů | z | 1 | 2 | - |
PřF:FC052 | Seminář diagnostiky a modelování plazmatu | z | 1 | 2 | - |
PřF:FC250 | Plasma and Dry Nano/Microtechnologies | k | 3+1 | 2 | - |
PřF:FC500 | Analytické modely a pokročilé koncepty ve fyzice plazmatu | k | 2 | 2 | - |
PřF:FC510 | Special topics in nanotechnology science | k | 1+1 | 2 | - |
23 kreditů |