F9800 Fyzika kondenzovaných látek II

Přírodovědecká fakulta
jaro 2012
Rozsah
3/1. 4 kr. (plus ukončení). Ukončení: zk.
Vyučující
prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc. (přednášející)
Garance
prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
Ústav fyziky kondenzovaných látek – Fyzikální sekce – Přírodovědecká fakulta
Kontaktní osoba: prof. Mgr. Dominik Munzar, Dr.
Dodavatelské pracoviště: Ústav fyziky kondenzovaných látek – Fyzikální sekce – Přírodovědecká fakulta
Předpoklady
F8800
Omezení zápisu do předmětu
Předmět je nabízen i studentům mimo mateřské obory.
Mateřské obory/plány
Cíle předmětu
Na konci tohoto kursu bude zvládne student základní faktografii polovodičů, zejména jejich krystalové struktury, pásové struktury, souvislosti mřížkových parametrů a gapů. Porozumí vlastnotem elementárních a směsných polovodičů a jejich slitin. Zvládne vibrační strukturu, optická a Ramanovská spektra, nepružný neutronový rozptyl, lokalizované vibrace. Seznámí se detailně s energiovými pásy konkrétních polovodičů (Si, Ge, SiGe, GaAs, AlAs, III-V, II-VI). Získá detailní znalosti extrémů valenčních a vodivostních pásů a jejich projevů v cyklotronové rezonanci. Seznámí se s mělkými příměsovými stavy a s povrchovými stavy. Zvládne popis transportních jevů v intrinsických a homogenně dopovaných materiálech, ve strukturách s nehomogenním dopingem a transport v magnetickém poli. Seznámí se se současným stavem výzkumu magnetických polovodičů.
Osnova
  • Polovodiče: krystalová struktura, pásová struktura, mřížkové parametry a gapy. Elementární a směsné polovodiče, slitiny. Vibrační struktura, optická a Ramanovská spektra, neutronový rozptyl. Lokalizované vibrace. Energiové pásy konkrétních polovodičů detailně (Si, Ge, SiGe, GaAs, AlAs, III-V, II-VI). Extrémy valenčních a vodivostních pásů, cyklotronová rezonance. Mělké příměsové stavy. Povrchové stavy. Transportní jevy v polovodičích. Intrinsické a homogenně dopované materiály. Nehomogenní doping. Transport v magnetickém poli. Magnetické polovodiče.
Literatura
  • YU, Peter Y. a Manuel CARDONA. Fundamentals of semiconductors : physics and materials properties. 4th ed. Heidelberg: Springer, 2010, xx, 775. ISBN 9783642007095. info
  • GROSSO, Giuseppe a Guiseppe PASTORI PARRAVICINI. Solid state physics. San Diego: Academic Press, 2000, xiii, 727. ISBN 012304460X. info
Výukové metody
Přednáška, cvičení
Metody hodnocení
Zkouška
Navazující předměty
Další komentáře
Předmět je vyučován každoročně.
Výuka probíhá každý týden.
Předmět je zařazen také v obdobích jaro 2012 - akreditace, jaro 2013, jaro 2014, jaro 2015, jaro 2016, jaro 2017, jaro 2018, jaro 2019, jaro 2020, jaro 2021, jaro 2022, jaro 2023, jaro 2024, jaro 2025.